Papers in this group
-
This paper describes a joint EM/Circuit modeling methodology, dedicated to active antennas arrays, with theoretical and experimental validations. The EM model handles inter-element coupling, while the Power Amplifier (PA) model can take important…
-
We propose in this paper a 4-channel time-domain test bench for the characterization and linearity enhancement of micro- wave power amplifiers (PAs). The proposed time-domain measurement system utilizes four track and hold amplifiers (THAs) for…
-
The design of agile active antennas requires an efficient modeling methodology in order to quantify the impact of other com- ponents on the array radiation pattern, and especially the influence of power amplifiers (PA). Therefore, the performance…
-
-
This paper presents a method for synthesizing the package of power GaN transistors in order to achieve wideband matching at harmonics. The proposed method is applied to optimize the package of a 15W power GaN HEMT for high efficiency performance…
-
A study of the electrical performances of AlInN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) on SiC substrates is pre- sented in this paper. Four different wafers with different technological and epitaxial processes were characterized. Thanks to…
-
We propose in this paper a time-domain test bench for the pulsed characterization of a high Power GaN Amplifier. Our findings are based on a Track and Hold Amplifier for the down-conversion of RF spectra using the sub harmonic sampling principle.…
-
Ce papier propose un nouveau système de caractérisation temporelle RF impulsionnelle fondé sur l’utilisation de récepteur à base de d’amplificateur suiveur-bloqueur large bande (Track and hold Amplifiers (THA)).Les caractéristiques non linéaires et…
-
Ce papier présente la conception originale d’une antenne ultra miniature accordable en fréquence dédiée à des applications basses fréquences. La miniaturisation est obtenue par l’utilisation d’un matériau magnéto- diélectrique et l’accordabilité en…
-
Une conception d’une nouvelle cellule de puissance à base de transistor PHEMT AsGa de longueur de grille 0.25 μm en technologie MMIC est présentée dans ce papier. Le point de départ est la cellule de puissance fishbone développée initialement par…
-
Ce papier présente une technique d’amélioration du rendement en puissance ajoutée (PAE) d’un amplificateur GaN par la préformation de la tension de commande de grille du transistor. Cette étude est effectuée à la fréquence de 2 GHz en utilisant des…
-
Ce papier expose une nouvelle méthodologie d’optimisation d’un boîtier de transistor GaN pour la conception d’amplificateur très haut rendement et large bande, fournissant 70% de PAE sur 1GHz en bande S. Ces performances sont obtenues en optimisant…
-
Cette étude est effectuée en bande L à 1.8 GHz en utilisant des cellules d’un modèle non linéaire de transistor GaN. Des simulations d’un amplificateur en mode CW sont effectuées par la technique d’équilibrage harmonique pour plusieurs tensions de…
-
L’objectif de ces travaux s’inscrit dans la thématique de l’amélioration de la qualité des équipements hyperfréquence et plus particulièrement les amplificateurs de puissance pour application spatiale. Il répond à une préoccupation exprimée par les…
-
Today's increase of functions, improvement of performance, and cost reductions required on an active electronically scanned array (AESA), associated to the limited amount of available areas and volumes to implement the equipment, drive an approach…
-
This paper presents a compact inverted F antenna which is dedicated to the Digital Video Broadcasting-Handheld (DVB-H) standard. This antenna is suitable to small mobile devices and the operating frequency is tuned with a hyperabrupt varactor diode…
-
This paper proposes a packaged transistor modeling using lumped elements. This model allows studying the input impedance dispersion when a range of variation is applied to various package components. This dispersion is also highlighted when a load…
-
In this paper a two-stage 2-GHz GaN HEMT ampli- fier with 15-W output power, 28-dB power gain, and 70% power- added efficiency (PAE) is presented. The power stage is designed to operate under class F conditions. The driver stage operates under class…
-
This paper reports on the design of new power cells based on GaAs PHEMT transistors with 0.25 m gate length in MMIC technology. The design starts from a fishbone power cell initially designed by United Monolithic Semiconductors (UMS). This one…
-
We propose a tour of nonlinear (NL) measurements of RF actives devices, as NL characterizations are key tasks at each step of the design and test process of power amplifiers. These various NL measurement methods aim to provide device models or to…
Top tags in this group
Apply tags to papers in My Library or Mendeley Desktop to filter papers in this group by their content