Conception d'un amplificateur de puissance à 2 étages intégrant une préformation de la tension de commande d'entrée
Abstract
Ce papier présente une technique damélioration du rendement en puissance ajoutée (PAE) dun amplificateur GaN par la préformation de la tension de commande de grille du transistor. Cette étude est effectuée à la fréquence de 2 GHz en utilisant des transistors GaN 15W de la fonderie CREE. Lamplificateur de puissance à 2 étages présente un rendement en puissance ajoutée (PAE) de 72% associé à une puissance de 41.8 dBm à 3dB de compression de gain à la fréquence centrale. Cet amplificateur comprend un étage de puissance fonctionnant en classe F et un étage driver spécifique pour réaliser une préformation de la tension de commande dentrée de létage de puissance. Cette technique permet dobtenir de bonnes performances en rendement sur une bande de fréquence assez large, ce qui constitue une difficulté majeure dans le domaine de lamplification de forte puissance. Dans le cas présenté une valeur de PAE supérieure à 60% est obtenue sur 25% de bande avec une puissance de sortie maintenue à 15 W.
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