Skip to content

Elias Al Alam

  • Ph. D
  • Ph. D
  • LAAS-CNRS, University Toulouse, France
  • 3h-indexImpact measure calculated using publication and citation counts. Updated daily.
  • 32CitationsNumber of citations received by Elias's publications. Updated daily.

About

Compétences: Expérimentation: Dépôt de diélectriques par PECVD, PECVD-ECR, LPCVD et PECVD pulsé. Gravure ionique réactive (RIE) des semi-conducteurs à grand gap. Réalisation des composants électroniques en salle blanche : diode Schottky, capacité MOS et TLM. Simulation et Mesures: Simulation numérique à éléments finis ISE des structures MOS. Conception des composants électriques à semi-conducteurs grand gap. Caractérisation électriques des structures MOS en statique et en dynamique. Analyse des mesures XPS, AFM, MEB, SIMS.

Research interests

Recent publications

  • Comparison of electrical behavior of GaN-based MOS structures obtained by different PECVD process

    • Al Alam E
    • Cortés I
    • Begou T
    • et al.
    N/AReaders
    0Citations
    Get full text
  • Analysis of the C-V characteristic in SiO<inf>2</inf>/GaN MOS capacitors

    • Cortes I
    • Al-Alam E
    • Besland M
    • et al.
    N/AReaders
    1Citations
    Get full text

Professional experience

Ph. D

LAAS-CNRS, University Toulouse, France

October 2007 - Present

Education

Ph. D.

Thèse en microélectronique

October 2007 - Present

Co-authors (26)

  • Arnaud Stolz
  • xiaosen liu
  • Fabio Armon Camichel
  • Hussein DIA

Other IDs