Beratender Ausschuß der Industriephysiker: Silicon‐on‐Insulator‐Technologie: Neue „ow‐Power”︁‐CMOS‐Anwendungen mit Betriebsspannungen kleiner 0,9 V

Abstract

Silicon‐on‐Insulator‐(SOI‐)Substrate erleben in den letzten Jahren einen neuen Aufschwung im Bereich der CMOS‐Anwendungen. Aufgrund der sehr guten Bauelement‐Eigenschaften, wie der besseren elektrischen Kopplung zwischen Gate‐Elektrode und Transistor‐Kanal, der geringen parasitären Kapazitäten und der ausgezeichneten Isolation der Bauelemente erscheint eine SOI‐CMOS‐Technologie besonders vielversprechend für Anwendungen mit Betriebsspannungen kleiner 0,9 V. Weitere Vorteile bietet SOI aufgrund einer Reduzierung der Prozeßschritte, seiner Strahlungsfestigkeit und der möglichen hohen Betriebstemperaturen. Sehr wichtig ist allerdings, bei der Prozessierung von SOI‐CMOS‐Transistoren einige Besonderheiten zu berücksichtigen. Abweichungen zeigen sich dabei aufgrund des veränderten Schichtaufbaus z. B. bei Rapid‐Thermal‐Prozessen und im Temperaturverhalten von Dotierstoffen. Weitere Unterschiede finden sich bei der Prozessierung der Isolationsgebiete. Insgesamt ist die SOI‐Technologie heutzutage als die vielversprechendste CMOS‐Technologie für Anwendungen mit Betriebsspannungen kleiner 0,9 V anzusehen.