HREM Observations of Ion Bombardment-Induced Dislocation Loops in ZnO

Abstract

2014 On utilise la microscopie électronique en haute résolution pour mettre en évidence des boucles de dislocations partielles provenant de l'amincissement par bombardement ionique d'un échantillon de ZnO. Les défauts d'empilement créés par insertion d'une double couche de Zn-O dans le plan basal sont du type 10394. Abstract. 2014 High resolution electron microscopy (HREM) is used to show faulted dislocation loops resulting from ion bombardment thinning in ZnO. The stacking faults are created by the insertion of a Zn-O double layer in the basal plane and are of the 10394 type (complex stacking fault).