STRUKTUR KRISTAL DAN KOMPOSISI KIMIA SEMIKONDUKTOR CD(SE0,6TE0,4) HASIL PREPARASI DENGAN METODE BRIDGMAN

Abstract

Telah dilakukan penumbuhan kristal bahan semikonduktor Cd(Se0,6Te0,4) dengan metode Bridgman. Penelitian ini bertujuan mengetahui komposisi kimia, parameter kisi, struktur kristal dan morfologi kristal bahan semikonduktor Cd(Se0,6Te0,4). Pemanasan tahap pertama darisuhu 27°C>200°C>250°C>300°C masing-masing 1 jam, 400°C (2 jam), lalu furnace dimatikan hingga 27 °C (2,25 jam). Tahap kedua dilakukan16 jam kemudian, dimulai dari suhu 27°C>200°C>300°C masing-masing 30 menit, ke 400°C dan 500°C masing-masing 1 jam, 600°C (2 jam), furnace dimatikan hingga 27°C. Penelitian menggunakan 4 sampel, melalui kerakterisasi XRD dan penghitungan parameter kisi menggunakan metode analitik dipilih sampel 4 (Cd=0,362 gram, Se=0,858 gram dan Te=0,390 gram) untuk diuji karakterisasi menggunakan EDAX dan SEM. Hasil karakterisasi XRD sampel 4 menunjukkan telah terbentuk fase Cd(Se0,6Te0,4) terkristalisasi dalam struktur heksagonal, dengan parameter kisi a=b=4,2941Ǻ dan c=6,9975Ǻ. Setelah dilakukan analisis SEM dan EDAX menunjukkan massif yang dihasilkan cukup homogen dengan perbandingan mol Cd:Se:Te=1:0.70:0.40.