Одномодовые лазеры (1050 нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом

  • Шашкин И
  • Лешко А
  • Николаев Д
  • et al.
N/ACitations
Citations of this article
7Readers
Mendeley users who have this article in their library.

Abstract

The radiation properties of single-mode lasers based on an AlGaAs/GaAs heterostructure with an ultra-narrow waveguide are studied. It is shown that the use of an ultra-narrow waveguide (100 nm) and thin (70 nm) wide-gap barriers at the waveguide/cladding interface improves the vertical divergence. The lateral and vertical divergences were 5 and 18.5 degrees, respectively, for the developed narrow-stripe (5.1 µm) single-mode lasers. An efficient single-mode operation up to a power of 200 mW is demonstrated. A further increase in current leads to the onset of higher-order modes, while the maximum optical power achieved under continuous-wave (CW) operation is limited by overheating and is 550 mW. The transfer to a pulsed operation (pulse width 200 ns) made it possible to raise the maximum peak optical power to 1500 mW. Исследованы излучательные характеристики одномодовых лазеров на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом. Показано, что использование сверхузкого волновода (100 нм) и тонких (70 нм) широкозонных барьеров на границе волновод/эмиттер позволяет решать задачу сужения расходимости излучения в дальней зоне в плоскости, перпендикулярной слоям гетероструктуры. В разработанных одномодовых лазерах с узким мезаполосковым контактом (ширина 5.1 мкм) расходимость излучения в плоскости, параллельной и перпендикулярной слоям гетероструктуры, составила 5 и 18.5 o соответственно. Разработанные лазеры демонстрируют эффективную работу в одномодовом режиме до мощности 200 мВт, а дальнейшее повышение тока приводит к включению дополнительных мод высшего порядка, при этом достигаемая максимальная мощность в непрерывном режиме ограничена перегревом и составляет 550 мВт. Переход в импульсный режим генерации (длительность импульсов 200 нс) позволил поднять максимальную пиковую мощность до 1500 мВт. Ключевые слова: одномодовый лазер, сверхузкий волновод, AlGaAs/GaAs, моды высшего порядка, пиковая мощность.

Cite

CITATION STYLE

APA

Шашкин, И. С., Лешко, А. Ю., Николаев, Д. Н., Шамахов, В. В., Веселов, Д. А., Рудова, Н. А., … Копьев, П. С. (2020). Одномодовые лазеры (1050 нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом. Физика и Техника Полупроводников, 54(4), 414. https://doi.org/10.21883/ftp.2020.04.49150.9334

Register to see more suggestions

Mendeley helps you to discover research relevant for your work.

Already have an account?

Save time finding and organizing research with Mendeley

Sign up for free