Особенности проявления квантового размерного эффекта в явлениях переноса в тонких пленках висмута на подложках из слюды

Abstract

The dependences of the resistivity, magnetoresistance,and Hall coefficient on the sample thickness were studied forthin bismuth films on mica at 77 K. We discovered quantum sizeoscillations of electrical and galvanomagnetic properties for filmswith the thickness less than 50 nm. The charge carrier free path isestimated. The reasons for deviation of the observed experimentaldependences from the simple quantum size effect theory in thesemimetal films are discussed.Для тонких пленок висмута на слюде исследованы зависимости удельного сопротивления, магнетосопротивления и коэффициента Холла от толщины образца при температуре 77 K. Обнаружены квантовые размерные осцилляции электрических и гальваномагнитных свойств для пленок толщиной <50 нм. Произведена оценка длины свободного пробега носителей заряда. Обсуждаются причины отклонения наблюдаемых экспериментальных зависимостей от простой теории квантового размерного эффекта в полуметаллических пленках.