Исследование динамики выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров (1070 nm) с маломодовым латеральным волноводом мезаполосковой конструкции при сверхвысоких токах накачки

Abstract

At ultrahigh levels of pulsed current pumping, the characteristics of semiconductor lasers based on an asymmetric heterostructure with a broadened lateral waveguide of a mesa-stripe design are studied. A peak power of 5.1 W is demonstrated at a pump current amplitude of 10 A. Three types of spatial dynamics of laser radiation are determined: the first one is a slow (~ 200 ns) intensity profile variation along the lateral near field at initial level of pump currents; the second one is a presence of fast (~ 10 ns) processes of mode competition at moderate pump currents; the third one is a chaotic temporal behavior of the output power at maximum pump currents.В области сверхвысоких уровней импульсной токовой накачки исследованы характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричной гетероструктуры с расширенным латеральным волноводом мезаполосковой конструкции. Продемонстрирована пиковая мощность 5.1 W при амплитуде тока накачки 10 A. Определены три типа пространственной динамики лазерного излучения: для начального уровня токов накачки характерно медленное (~ 200 ns) перестроение интенсивности вдоль выходной апертуры, для умеренных уровней токов накачки характерно наличие быстрых (~ 10 ns) процессов модовых перестроений, в области максимальных токов накачки перестроения не повторяются от импульса к импульсу и имеют хаотический характер. Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, одномодовые лазеры, мезаполосковая конструкция, гетероструктура.