Неклассические источники света на основе селективно позиционированных микролинзовых структур и (111) In(Ga)As квантовых точек

Abstract

Hybrid microcavity for single quantum dot based emitters has been developed and realized. The microcavity consists of semiconductor distributed Bragg reflector and microlens, which is selectively positioned over a single (111) In(Ga)As quantum dot. We have demonstrated pure single photon emission with g(2)(0) = 0.07. The fine structure of exciton states of (111) In(Ga)As quantum dots is studied. It is shown that the splitting of exciton states is comparable with the natural width of exciton lines, which is of great interest for the design of emitters of pairs of entangled photons on the basis of these quantum dots. Представлены результаты исследования оптических характеристик неклассических источников света на основе селективно-позиционированных микролинзовых структур и одиночных (111) In(Ga)As-квантовых точек, выращенных на подложке (111)B GaAs. Однофотонный характер излучения подтвержден измерением и анализом корреляционной функции второго порядка g (2) (tau); g (2) (0)=0.07. Исследована тонкая структура экситонных состояний (111) In(Ga)As-квантовых точек. Показано, что в интервале энергий 1.320-1.345 эВ величина расщепления экситонных состояний сравнима с естественной шириной экситонных линий, что представляет интерес для разработки излучателей фотонных пар на их основе. Ключевые слова: квантовые точки, источники одиночных фотонов, источники фотонных пар, тонкая структура экситонных состояний.