Fabricación y caracterización eléctrica de diodos de unión p-n de arseniuro de galio

Abstract

Se fabricaron diodos de unión p-n de arseniuro de galio por la técnica de depósito químico en fase vapor usando materiales organometálicos (MOCVD). Se caracterizaron y analizaron curvas de corriente eléctrica contra voltaje en polarización directa, I-V. Mediante las caracterizaciones eléctricas se comprobó la realización de la unión pn, esto es, las curvas I-V muestran un comportamiento exponencial, también de las curvas I-V se obtuvo el factor de idealidad. El factor de idealidad nos dice que mecanismos de conducción está ocurriendo en el diodo de unión p-n y, este mostró que los mecanismos de conducción se presentaron principalmente en la región de deserción o región libre de portadores de carga, lo cual es común en diodos fabricados de arseniuro de galio con un gran ancho de banda prohibida y baja concentración de portadores de carga en ambas capas tipo p y tipo n.