Wet Etching Method, Cleaning and Cleanness for Semiconductor Wafer

Abstract

不純物種類 LSI デバイス品質への影響 パーティクル 大気浮遊塵 人体 装置からの発塵 ガス，薬品，CMP スラリー中の塵 ・配線パターン破壊によるオープン・ショート不良 残渣 ドライエッチング生成物 ・配線パターン破壊によるオープン・ショート不良 ・配線コンタクト抵抗大による動作スピード低下 金属 Fe，Ni，Cr などの重金属 ・ゲート酸化膜の耐圧劣化 （TDDB） ・PN 接合における微小電流リーク ・ライフタイム低下 Na，K などのアルカリ金属 ・トランジスタ動作不安定化 （V th シフト） Cu，Au ・ライフタイム低下 ・ゲート酸化膜の耐圧劣化 （TDDB） 有機物 液残渣 （リンス，乾燥不足） ・ゲート酸化膜の耐圧劣化 （TDDB） ・配線コンタクト抵抗大による動作スピード低下 レジスト残渣 ・配線パターン破壊によるオープン・ショート不良 ・配線コンタクト抵抗大による動作スピード低下 表 1 ウエハ表面の不純物が LSI デバイス品質に及ぼす影響 2）