Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом

Abstract

Light characteristics of narrow-stripe lasers (5.5 m) based on asymmetric AlGaAs/GaAs heterostructures are studied. It was shown that the maximum optical power achieved under continuous-wave (CW) operation is limited by thermal heating and reaches 1695 mW at a current of 2350 mA at +25°C, and the maximum efficiency reaches 54.8 %. By reducing the operating temperature to -8°C, we were able to increase the maximum power to 2 W. A peak power of 2930 mW was obtained under pulsed operation (pulse width 240 ns, amplitude 4230 mA). It is shown there is a region of an “optical dip” in the power profile with a low-efficiency lasing of a train of pulses of sub-ns duration under pulsed operation. Исследованы излучательные характеристики лазеров с узким мезаполосковым контактом (ширина 5.5 мкм) на основе асимметричных AlGaAs/GaAs гетероструктур. Показано, что максимальная мощность в непрерывном режиме ограничена тепловым разогревом и достигает 1695 мВт на токе 2350 мА при 25 o C, а максимальный кпд достигает 54.8%. Понижение рабочей температуры до -8 o C позволило повысить максимальную непрерывную мощность в маломодовом режиме до 2 Вт. При накачке импульсами тока длительностью 240 нс и амплитудой 4230 мА была получена пиковая мощность 2930 мВт. Показано, что в импульсном режиме существует область "оптического провала", в которой наблюдается низкоэффективная лазерная генерация с режимом генерации периодической последовательности лазерных импульсов суб-нс длительности. Ключевые слова: одномодовый лазер, AlGaAs/GaAs, оптический провал, моды высшего порядка, пиковая мощность.