Compuerta NAND CMOS para Módulo de Electrónica

Abstract

Los circuitos integrados VLSI (gran escala de integración), son aquellos que se caracterizan por sus dimensiones extremadamente pequeñas, constituidos principalmente por transistores de efecto de campo de metal óxido semiconductor (MOSFET), cuyas longitudes de canal son inferiores al micrómetro, permitiendo integrar un mayor número de transistores en un solo diseño. En el presente trabajo, se diseña una compuerta NAND basada en la tecnología CMOS en la herramienta L-Edit de Tanner Eda, realizando los cálculos matemáticos necesarios para la determinación de las relaciones W, L de los transistores MOSFET, siguiendo las reglas de diseño establecidas al momento del diseño del respectivo layout. Para la creación de bibliotecas de diseño y su posterior utilización en circuitos integrados más grandes y complejos.